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    本發明提供一種可抑制消耗電功率之半導體製造裝置。該半導體製造裝置具備有：為區劃出處理空間之處理容器，該處理容器具有上面；設置於處理空間內之載置台；與載置台呈對向而設置於該載置台的上方之上部電極；為用以加熱上部電極之加熱器，該加熱器係設置於上部電極的周圍且該上面的下方；以及載置於該上面之絕熱構件；其中絕熱構件係包含有板狀部與設置於該板狀部之一側的主面側之絕熱部。
    公开号:TW201324647A
    申请号:TW101121984
    申请日:2012-06-20
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Atsushi Kobayashi；Kazuyuki Miura；Akira Yasumuro
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    半導體製造裝置
    本發明關於一種半導體製造裝置。
    作為傳統的半導體製造裝置，已知有例如專利文獻1所記載之半導體製造裝置。專利文獻1所記載之半導體製造裝置具備有：具有載置台及上部電極之處理容器，其中該載置台係載置有半導體晶圓，該上部電極係設置於載置台的上方且平行地與載置台呈對向；對載置台施加高頻之高頻電源；以及對上部電極供應處理氣體之處理氣體供應部。此半導體製造裝置係構成為平行平板型電漿蝕刻裝置。
    專利文獻1：日本特開2006-286733號公報
    具有上述般結構之平行平板型半導體製造裝置會有將用以加熱上部電極(供應至上部電極之處理氣體)之加熱器設置在上部電極附近的情況。上述半導體製造裝置被要求要能夠抑制消耗電功率。
    本發明為了解決上述課題，其目的為提供一種可抑制消耗電功率之半導體製造裝置。
    本發明一觀點之半導體製造裝置具備有：區劃出處理空間之處理容器，其具有上面；設置於處理空間內之載置台；與載置台呈對向而設置於該載置台的上方之上部電極；用以加熱上部電極之加熱器，其係設置於上部電極的周圍且上面的下方；絕熱構件，係載置於上面；其中絕熱構件係包含有板狀部與設置於該板狀部之一側的主面側之絕熱部。
    此半導體製造裝置中，處理容器的上面係載置有絕熱構件。因此，便可藉由構成絕熱構件之絕熱部來提高絕熱效果，尤其是可抑制來自散熱量多之處理容器上部的散熱。於是，便可謀求熱效率的提高，其結果，可抑制消耗電功率。
    一實施型態中，絕熱部可為發泡絕熱材。若使用發泡絕熱材，便可有效地抑制散熱。
    一實施型態中，絕熱構件可具有複數零件，該複數零件係可在平行於上面之方向上分離，且分別包含板狀部與絕熱部。依據此型態，則縱使是處理容器的上面連接有導管等之情況，仍可容易地配置絕熱構件，來謀求作業性的提昇。
    一實施型態中，板狀部可具有較絕熱部的硬度要高之硬度。依據此型態，則縱使是使用具柔軟性之絕熱部的情況，仍可防止配置於處理容器的上面時之撓曲，或安裝作業時之絕熱部的撓曲等。從而，便可謀求絕熱構件之操作性的提昇。
    一實施型態中，絕熱構件的外周面可由樹脂所被覆。依據此型態，便可抑制絕熱構件處灰塵或微粒的產生。
    依據本發明，便可抑制處理容器的散熱來提高熱效率，且抑制消耗電功率。
    以下，參照添附圖式來詳細說明本發明之各種實施型態。此外，圖式的說明中，針對相同或相當的構成要素則賦予相同符號而省略重複說明。
    [電漿處理裝置]
    圖1係概略顯示一實施型態之電漿處理裝置之圖式。圖1所示之電漿處理裝置1係構成為平行平板型電漿蝕刻裝置。電漿處理裝置1係具有區劃出處理空間S之圓筒形腔室(處理容器)2。腔室2係具有上面2a。
    腔室2的處理空間S內係設置有用以載置被處理基板(例如半導體晶圓W)之作為下部電極或晶座的圓板狀載置台3。載置台3為例如鋁製，其係透過絕緣性的筒狀保持部4而被支撐在從腔室2的底部延伸於垂直方向之筒狀支撐部6。筒狀保持部4的上面係配置有環狀地圍繞載置台3的上面之例如石英所構成的聚焦環7。
    腔室2的側壁與筒狀支撐部6之間係形成有排氣通道8。此排氣通道8的入口或其途中係安裝有隔板9，且於底部設置有排氣口10。排氣裝置11係透過排氣管12而連接於排氣口10。排氣裝置11係具有真空幫浦，可將腔室2內的處理空間減壓至特定真空度。腔室2的側壁係安裝有用以開閉半導體晶圓W的搬入出口之閘閥14。
    載置台3係透過匹配器16及供電棒17而電連接有電漿生成用的高頻電源15。高頻電源15係對下部電極(即載置台3)施加特定高頻數(例如27MHz以上)的高頻電功率。與載置台3平行地呈對向之腔室2的上部係設置有作為接地電位的上部電極之噴淋頭20。藉由來自高頻電源15的高頻，則載置台3與噴淋頭20之間的空間(即電漿生成空間PS)便會形成有高頻電場。
    噴淋頭20係具備有具有多個氣體通氣孔21之電極板22，與可拆裝地支撐電極板22之電極支撐體23。電極支撐體23的內部係設置有暫存室24，該暫存室24的氣體導入口25係連接有來自處理氣體供應部26的氣體供應導管27。
    於腔室2的頂部處，電漿生成空間PS周邊的上方(噴淋頭20的周圍)係設置有環狀或同心圓狀地延伸之磁場形成機構28。磁場形成機構28係具有能夠使腔室2內之電漿生成空間PS處之高頻放電的開始(電漿點火)變得容易來穩定地維持放電之功能。
    載置台3的上面係設置有以靜電吸附力來保持半導體晶圓W之靜電夾具30。靜電夾具30係將導電膜所構成的電極31挾置於一對絕緣膜32a、32b之間，電極31係透過開關SW而電連接有直流電源33。藉由來自直流電源33的直流電壓，便可以庫倫力來將半導體晶圓W吸附保持在夾具上。
    噴淋頭20的上方(為噴淋頭20的周圍且上面2a的下方)係配置有第1加熱器35。第1加熱器35係用以加熱(電極板22的溫度控制)噴淋頭20之熱源，且呈環狀。第1加熱器35的外徑係較噴淋頭20的外徑要大。
    圖2係概略顯示腔室之立體圖，圖3係從上方來觀看圖2所示腔室之圖式。如圖3所示，腔室2係配置有複數個(此處為4個)第2加熱器36。第2加熱器36係用以加熱噴淋頭20之熱源，而在腔室2的側壁處配置在較第1加熱器35要靠徑向的外側。
    又，載置台3係透過氣體供應管38而連接有傳熱氣體供應部39。傳熱氣體供應部39係對靜電夾具30的上面與半導體晶圓W的內面之間供應傳熱氣體(例如He氣體)。控制部40係個別地控制電漿處理裝置1內的各部，來統括控制整體的程序。
    [絕熱構件]
    如圖1及圖2所示，腔室2的上面2a上係配置(載置)有絕熱構件50。圖4係顯示絕熱構件之立體圖，圖5為圖4中之V-V線剖視圖。如圖4及圖5所示，絕熱構件50係由板狀部51與絕熱部52所構成。板狀部51係由例如壓克力樹脂所構成，且呈圓板狀(對應於腔室2之上面2a形狀的形狀)。板狀部51的厚度為數mm左右，而具有較後述絕熱部52要高之硬度。此外，板狀部51亦可由金屬所形成。
    絕熱部52係例如發泡絕熱材(商品名稱：Aeroflex(註冊商標))，且呈圓板狀(對應於腔室2之上面2a形狀的形狀)。絕熱部52係設定為例如厚度為10mm左右，一側的主面52a係藉由例如接著劑而接合在板狀部51之一側的主面51a。絕熱部52係抵接於腔室2的上面2a之部分。亦即，絕熱構件50係以絕熱部52的另一側主面52b會成為載置面之方式，而配置在腔室2的上面2a。此外，作為絕熱部52除了發泡絕熱材以外，亦可為於金屬構件塗裝、火焰噴塗有具絕熱性的絕熱塗料者。
    具備上述結構之絕熱構件50係構成為可分離成複數個。如圖6所示，絕熱構件50係在板狀部51與絕熱部52為一體成型之狀態下，分離成複數個(此處為3個)零件。各零件可在平行於腔室2的上面2a之方向(上面2a的面方向)上分離。具體來說，絕熱構件50係構成為例如，於對應於連接於腔室2的上部之氣體供應導管27之位置處形成有開口部，且將氣體供應導管27挾置其中。絕熱構件50的分割數量及各個零件的形狀乃為對應於腔室2的形狀等來適當地設定。
    如以上的說明，本實施型態中，電漿處理裝置1之腔室2的上面2a上係配置有絕熱構件50。該絕熱構件50係由板狀部51與絕熱部52所構成，藉由絕熱部52來抑制(絕熱)散熱，藉以謀求腔室2之熱效率的提昇。特別是，由於散熱量多之腔室2的上面2a係配置有絕熱構件50，因此可有效率地抑制散熱。
    又，由於係設置有硬度較絕熱部52要高之板狀部51，因此縱使是使用例如具柔軟性之絕熱部52的情況，仍可防止絕熱部52翹起或撓曲。其結果，便可謀求操作性的提昇。
    又，絕熱構件50係具有可在平行於上面2a之方向上分離的複數零件，且為分別包含有板狀部51與絕熱部52之該複數零件(參照圖6)。因此，在配置絕熱構件50時，由於係分別將零件安裝在腔室2的上面2a，因此便可謀求作業性的提昇。
    又，由於絕熱構件50係載置於腔室2的上面2a上之結構，因此亦可適用於既有的半導體製造裝置。又，由於絕熱構件50係由板狀部51與絕熱部52所構成之簡單的結構，因此亦可謀求費用的降低。
    關於絕熱構件50的絕熱(散熱的抑制)效果，參照圖7來加以說明。圖7係顯示絕熱效果的試驗結果之表。如圖7所示，作為絕熱構件係準備：
    (1)經耐酸鋁處理後之金屬板(比較例)
    (2)於金屬板貼附有為發泡絕熱材之Aeroflex(Aeroflex：註冊商標)(實施例1)
    (3)於金屬板的表面施有矽膠披覆(實施例2)
    (4)於金屬板的表面披覆有特殊絕熱披覆材陶瓷披覆「SE250」(Nippon Telenix股份有限公司製)(實施例3)
    (5)於金屬板的表面火焰噴塗有絕熱多孔質劑(商品名稱：絕熱多孔質體，TOCALO股份有限公司製)(實施例4)
    (6)於金屬板的表面披覆有Hy-Coat(商品名稱：Hy-Coat(主材料為氟樹脂)，TOCALO股份有限公司製)(實施例5)。以加熱板(140℃)來同時加熱比較例及實施例1-5，並測量表面溫度且計算與比較例之溫度差。此外，各表面溫度乃為比較例的表面溫度到達80℃後之平均溫度。
    如圖7所示，與比較例之溫度差最大者為實施例1，其與比較例之溫度差為平均「-36.0℃」。又，在實施例2中為「-16.0℃」，在實施例3中為「-12.1℃」，在實施例4中為「-12.2℃」，在實施例5中為「-7.7℃」。確認了實施例1-5的任一者係較比較例要具有絕熱效果。
    接著，針對絕熱構件50之消耗電功率的抑制效果，參照圖8來加以說明。圖8係顯示消耗電功率的試驗結果之表。此試驗中係測量安裝在腔室2的上部及側壁部之第1及第2加熱器35、36的電流值，並計算升溫時、待機時以及製程搬送時的消耗電功率。作為絕熱部係使用Aeroflex，且使用厚度為10mm、20mm者。第1加熱器35的額定消耗電功率為1400W，第2加熱器36的額定消耗電功率為2080W。
    如圖8所示，在升溫時，相對於未配置有絕熱部情況下之消耗電功率的實測值為2728W，而使用10mm的絕熱部之情況下的消耗電功率為「-1.2%」，使用20mm的絕熱部之情況下的消耗電功率為「+0.4%」。在待機時，相對於未配置有絕熱部情況下之消耗電功率的實測值為1972W，而使用10mm的絕熱部之情況下的消耗電功率為「-5.5%」，使用20mm的絕熱部之情況下的消耗電功率為「-7.1%」。在製程搬送時，相對於未配置有絕熱部情況下之消耗電功率的實測值為1800W，而使用10mm的絕熱部之情況下的消耗電功率為「-1.6%」，使用20mm的絕熱部之情況下的消耗電功率為「-1.1%」。
    由以上的結果，確認了藉由於腔室2的上面2a配置有絕熱構件50(絕熱部52)，便可抑制腔室2的散熱來提高熱效率，且抑制消耗電功率。此外，關於絕熱部20mm，在升溫時，消耗電功率雖有些許增加，但由於升溫時為不穩定的狀態，因此將其視為誤差範圍內。
    [絕熱構件的其他型態]
    以下，參照圖9~圖16來加以說明絕熱構件的其他型態。此外，以下所說明之絕熱構件亦可與上述絕熱構件50同樣地構成為可分離成複數個。
    如圖9(a)所示，絕熱構件50A係由板狀部51A與絕熱部52所構成。板狀部51A係由金屬所構成，且抵接於腔室2的上面2a。亦即，絕熱構件50A係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖9(b)所示，絕熱構件50B係由板狀部51、絕熱部52及板狀部51A所構成。絕熱構件50B的絕熱部52係挾置在板狀部51與板狀部51A之間。絕熱構件50B係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖9(c)所示，絕熱構件50C係由板狀部51、絕熱部52及框部53所構成。框部53係由例如金屬或壓克力樹脂等所構成，且覆蓋板狀部51及絕熱部52的外周面。絕熱構件50C係以絕熱部52成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。絕熱構件50C係藉由設置有框部53，便可抑制從絕熱部52的外周面產生灰塵或微粒。
    如圖9(d)所示，絕熱構件50D係由板狀部51A、絕熱部52及框部53所構成。絕熱構件50D係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖9(e)所示，絕熱構件50E係由板狀部51、絕熱部52、板狀部51A及框部53所構成。絕熱構件50D係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖10(a)所示，絕熱構件50F係由絕熱部52與框單元54所構成。框單元54係由金屬或壓克力樹脂等所構成之圓形板狀部54a，與覆蓋板狀部54a的外周面之環狀框部54b所構成，板狀部54a與框部54b為一體成型。框單元54係藉由框部54b而圍繞絕熱部52的外周面般地安裝在絕熱部52。絕熱構件50F係以絕熱部52成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。絕熱構件50F係藉由設置有框單元54，便可抑制從絕熱部52的外周面產生灰塵或微粒。
    如圖10(b)所示，絕熱構件50G係由絕熱部52與框單元55所構成。框單元55係由金屬所構成之圓形板狀部55a，與覆蓋板狀部55a的外周面之環狀框部55b所構成，板狀部55a與框部55b為一體成型。絕熱構件50G係以框單元55成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。絕熱構件50G係藉由設置有框單元55，便可抑制從絕熱部52的外周面產生灰塵或微粒。
    如圖10(c)所示，絕熱構件50H係由板狀部51A、絕熱部52及框單元54所構成。框單元54係藉由框部54b而圍繞絕熱部52的外周面般地安裝在絕熱部52。絕熱構件50H係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖10(d)所示，絕熱構件50I係由板狀部51、絕熱部52及框單元55所構成。框單元55係藉由框部55b而圍繞絕熱部52的外周面般地安裝在絕熱部52。絕熱構件50I係以框單元55成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖11(a)所示，絕熱構件50J係由板狀部51、金屬構件56、絕熱部57及披覆部58所構成。絕熱部57係於金屬構件56上塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。披覆部58係於絕熱部57的上面塗裝有例如具耐熱性之上述Hy-Coat等的批覆材(樹脂)所形成。絕熱構件50J係以披覆部58成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖11(b)所示，絕熱構件50K係由板狀部51A、金屬構件56、絕熱部57及披覆部58所構成。絕熱構件50K係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖11(c)所示，絕熱構件50L係由板狀部51、絕熱部57A及披覆部59所構成。絕熱部57A係於板狀部51塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。披覆部59係形成為覆蓋絕熱部57A的上面及外周面。絕熱構件50L係以披覆部59成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。絕熱構件50L係藉由形成有披覆部59，便可抑制從絕熱部57A的外周面產生灰塵或微粒。
    如圖11(d)所示，絕熱構件50M係由板狀部51A、絕熱部57A及披覆部59所構成。絕熱部57A係於板狀部51A塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。絕熱構件50M係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖12(a)所示，絕熱構件50N係由板狀部51、板狀部51A、金屬構件56、第1絕熱部60、第2絕熱部61及披覆部62所構成。第1絕熱部60係於金屬構件56一側的主面整面塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成，第2絕熱部61係於金屬構件56另一側的主面整面塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。披覆部62係形成為覆蓋金屬構件56、第1絕熱部60及第2絕熱部61的外周面。形成有第1絕熱部60、第2絕熱部61及披覆部62之金屬構件56係被挾置在板狀部51及板狀部51A。絕熱構件50N係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。絕熱構件50N係藉由形成有披覆部62，便可抑制從第1及第2絕熱部60、61的外周面產生灰塵或微粒。
    如圖12(b)所示，絕熱構件50O係由板狀部51、板狀部51A、絕熱部57A及披覆部63所構成。絕熱部57A係於板狀部51A塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。披覆部63係形成為覆蓋絕熱部57A的外周面。絕熱構件50O係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。絕熱構件50O係藉由形成有披覆部63，便可抑制從絕熱部57A的外周面產生灰塵或微粒。
    如圖12(c)所示，絕熱構件50P係由板狀部51、板狀部51A、絕熱部57A及披覆部63所構成。絕熱部57A係於板狀部51塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。披覆部64係形成為覆蓋絕熱部57A的外周面。絕熱構件50P係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。絕熱構件50P係藉由形成有披覆部64，便可抑制從絕熱部57A的外周面產生灰塵或微粒。
    如圖13(a)所示，絕熱構件50Q係由板狀部51、框部53、金屬構件56、絕熱部57及披覆部65所構成。披覆部65係形成為覆蓋金屬構件56的上面。絕熱構件50Q係以披覆部58成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖13(b)所示，絕熱構件50R係由板狀部51、框部53、絕熱部57A及披覆部66所構成。披覆部66係形成為覆蓋絕熱部57A的上面。絕熱構件50R係以披覆部66成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖13(c)所示，絕熱構件50S係由板狀部51A、框部53、金屬構件56、絕熱部57及披覆部65所構成。絕熱構件50S係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖13(d)所示，絕熱構件50T係由板狀部51A、框部53、絕熱部57A及披覆部66所構成。絕熱構件50T係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖14(a)所示，絕熱構件50U係由板狀部51、板狀部51A、框部53、金屬構件56、第1絕熱部60及第2絕熱部61所構成。絕熱構件50U係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖14(b)所示，絕熱構件50V係由板狀部51、板狀部51A、框部53及絕熱部57A所構成。絕熱部57A係於板狀部51A塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。絕熱構件50V係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖14(c)所示，絕熱構件50W係由板狀部51、板狀部51A、框部53及絕熱部57A所構成。絕熱部57A係於板狀部51塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。絕熱構件50W係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖15(a)所示，絕熱構件50X係由框單元54、金屬構件56、絕熱部57及披覆部65所構成。絕熱構件50X係以披覆部65成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖15(b)所示，絕熱構件50Y係由框單元54、絕熱部57A及披覆部66所構成。絕熱部57A係於框單元54的板狀部54a塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。絕熱構件50Y係以框單元54成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖15(c)所示，絕熱構件50Z係由框單元55、金屬構件56、絕熱部57及披覆部65所構成。絕熱構件50Z係以框單元55成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖15(d)所示，絕熱構件50Aa係由框單元55、絕熱部57A及披覆部66所構成。絕熱部57A係於框單元55的板狀部55a塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。絕熱構件50Aa係以框單元55成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖15(e)所示，絕熱構件50Ab係由板狀部51、框單元55、金屬構件56、第1絕熱部60及第2絕熱部61所構成。絕熱構件50Ab係以框單元55成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖16(a)所示，絕熱構件50Ac係由板狀部51A、框單元54、金屬構件56、第1絕熱部60及第2絕熱部61所構成。絕熱構件50Ac係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖16(b)所示，絕熱構件50Ad係由板狀部51A與絕熱部57A所構成。絕熱部57A係於板狀部51A塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。絕熱構件50Ad係以板狀部51A成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    如圖16(c)所示，絕熱構件50Ae係由板狀部51、框單元55及絕熱部57A所構成。絕熱部57A係於板狀部51塗佈有絕熱塗料或火焰噴塗有絕熱塗料所形成。絕熱構件50Ae係以框單元55成為下部之方式而配置在腔室2的上面2a。
    本發明未限定於上述實施型態。例如，上述實施型態中，載置台3雖係連接有高頻電源15，但亦可於噴淋頭20連接有高頻電源15。
    又，上述實施型態中，作為絕熱部52雖係例示發泡絕熱材，但絕熱部亦可由其他的材料所構成。
    又，上述實施型態中，絕熱構件50(板狀部51、絕熱部52)雖係呈圓形，但其形狀只要對應於腔室2之上面2a的形狀來適當地設計即可。又，絕熱構件50可為覆蓋腔室2之上面2a的整面之結構，或是覆蓋上面2a的一部分之結構。
    1‧‧‧電漿處理裝置(半導體製造裝置)
    2‧‧‧腔室(處理容器)
    2a‧‧‧主面
    3‧‧‧載置台
    20‧‧‧噴淋頭(上部電極)
    35‧‧‧第1加熱器
    36‧‧‧第2加熱器
    50、50A~50Z、50Aa~50Ae‧‧‧絕熱構件
    50a‧‧‧主面
    51、51A、54a、55a‧‧‧板狀部
    52、57、57A、60、61‧‧‧絕熱部
    圖1係概略顯示一實施型態之電漿處理裝置之剖視圖。
    圖2係概略顯示腔室之立體圖。
    圖3係從上方來觀看圖2所示腔室之圖式。
    圖4係顯示絕熱構件之立體圖。
    圖5為圖4中之V-V線剖視圖。
    圖6係顯示絕熱構件分離後的狀態之立體圖。
    圖7係顯示絕熱效果的試驗結果之表。
    圖8係顯示消耗電功率的試驗結果之表。
    圖9係顯示其他型態的絕熱構件之圖式。
    圖10係顯示其他型態的絕熱構件之圖式。
    圖11係顯示其他型態的絕熱構件之圖式。
    圖12係顯示其他型態的絕熱構件之圖式。
    圖13係顯示其他型態的絕熱構件之圖式。
    圖14係顯示其他型態的絕熱構件之圖式。
    圖15係顯示其他型態的絕熱構件之圖式。
    圖16係顯示其他型態的絕熱構件之圖式。
    PS‧‧‧電漿生成空間
    S‧‧‧處理空間
    SW‧‧‧開關
    W‧‧‧半導體晶圓
    1‧‧‧電漿處理裝置(半導體製造裝置)
    2‧‧‧腔室(處理容器)
    2a‧‧‧主面
    3‧‧‧載置台
    4‧‧‧保持部
    6‧‧‧支撐部
    7‧‧‧聚焦環
    8‧‧‧排氣通道
    9‧‧‧隔板
    10‧‧‧排氣口
    11‧‧‧排氣裝置
    12‧‧‧排氣管
    14‧‧‧閘閥
    15‧‧‧高頻電源
    16‧‧‧匹配器
    17‧‧‧供電棒
    20‧‧‧噴淋頭(上部電極)
    21‧‧‧氣體通氣孔
    22‧‧‧電極板
    23‧‧‧電極支撐體
    24‧‧‧暫存室
    25‧‧‧氣體導入口
    26‧‧‧處理氣體供應部
    27‧‧‧氣體供應導管
    28‧‧‧磁場形成機構
    30‧‧‧靜電夾具
    32a、32b‧‧‧絕緣膜
    31‧‧‧電極
    33‧‧‧直流電源
    35‧‧‧第1加熱器
    38‧‧‧氣體供應管
    39‧‧‧傳熱氣體供應部
    40‧‧‧控制部
    50‧‧‧絕熱構件
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種半導體製造裝置，係具備有：處理容器，係區劃出處理空間之處理容器，且具有上面；載置台，係設置於該處理空間內；上部電極，係與該載置台呈對向而設置於該載置台的上方；加熱器，係加熱該上部電極之加熱器，而設置於該上部電極的周圍且該上面的下方；絕熱構件，係載置於該上面；其中該絕熱構件係包含有板狀部與設置於該板狀部之一側的主面側之絕熱部。
    [2] 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中該絕熱部為發泡絕熱材。
    [3] 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中該絕熱構件係具有複數零件，該複數零件係可在平行於該上面之方向上分離，且分別包含該板狀部與該絕熱部。
    [4] 如申請專利範圍第2項之半導體製造裝置，其中該絕熱構件係具有複數零件，該複數零件係可在平行於該上面之方向上分離，且分別包含該板狀部與該絕熱部。
    [5] 如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體製造裝置，其中該板狀部係具有較該絕熱部的硬度要高之硬度。
    [6] 如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體製造裝置，其中該絕熱構件的外周面係由樹脂所被覆。
    [7] 如申請專利範圍第5項之半導體製造裝置，其中該絕熱構件的外周面係由樹脂所被覆。
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    同族专利:
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    KR101893938B1|2018-08-31|
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